还在纠结芯片引脚需要加多大容值的电容吗？
在一些芯片IO口，我们能看到0.1UF 100NF 4.7UF容值的滤波电容。 电容，一个小小的物料，其容值的选取往往在硬件电路设计以及仿真中起到了非常重要的作用。 在电容进行滤波的时候，工程师往往喜欢把电容分为旁路电容...
发布时间：2022-09-19
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浅谈电容（基础）
一类陶瓷介质：NP0，C0G容量多在1000pF以下，温度特性平稳，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)；NP0电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一；在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30...
发布时间：2022-09-18
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二元加权电容器阵列的构造性共质心布局与布线
我们提出了一种对布线友好的建设性 CC 布局和布线方法，以优化失配并最大限度地提高性能。 介绍了螺旋和块棋盘放置，并表明用色散折衷导线寄生可在 3dB 频率和 INL/DNL 之间取得平衡。
发布时间：2022-09-06
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超级电容器内阻测定方法
从第二次放电开始每间隔8ms至10ms对超级电容器的电压进行若干次测定并记录各次测定的电压值B；将记录的各测定电压值B分别标注在电压关系图中并用模拟直线D连接，作超级电容器从恒压保持状态变为放电状态瞬间的放电...
发布时间：2022-09-05
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电路分析第三章 电容与电感
文章目录一、电容是什么？二、电感是什么？ 一、电容是什么？ 电容是储能元件。电容符号是C。 电容是C—U约束，即q(t)=C*u(t)。 电容的VCR公式如下所示： 所以电容的特点是，电压具有连续性和...
发布时间：2022-09-05
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DRAM发展年历——电容方向
2006 Development of New TiN/ZrO2/Al2O3/ZrO2/TiN Capacitors Extendable ...为DRAM电容介质提出了全新的研究方向。 通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型
发布时间：2022-09-02
电容104是多大？
电容容值单位转换：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。 扩展资料 电容容量标示的方法： 直标法是用...
发布时间：2022-09-01