PMGD780SN

PMGD780SN 复合场效应管 60V 490mA/0.49A SOT-363/SC70-6 marking/标记 D7 快速开关 驱动电路

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 490mA/0.49A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.4Ω@ VGS =4.5V, ID =75mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率PdPower Dissipation| 990mW/0.99W Description & Applications| Dual N-channel Trench MOS standard level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Standard level threshold voltage Fast switching Low on-state resistance Dual device. Applications Driver circuits Switching in portable appliances 描述与应用| 双N沟道的海沟MOS标准水平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 表面贴装封装 底印比SOT23小40％ 标准电平阈值电压 快速开关 低通态电阻 双设备。 应用 驱动电路 在便携式电器开关