FDN352AP

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 25V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.15Ω @-1.3A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| High performance trench technology for extremely low RDSON .High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| 高性能沟道技术极低 RDS（ON） 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 相同的引脚SOT-23的30％更高的功率处理能力