FDN340P

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN340P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.052Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Low gate charge 8nC typical. High performance trench technology for extremely low RDSON . High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| 低栅极电荷（典型8NC）。 高性能沟道技术极 低RDS（ON）。 高功率版本的行业标准SOT-23 包。相同的引脚的SOT-23与30％ 更高的功率处理能力