FDN352AP
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN352AP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.30 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 150 pF
栅电荷 1.40 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -1.30 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 150pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDN352AP引脚图与封装图 
FDN352AP引脚图
FDN352AP封装焊盘图
在线购买FDN352AP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN352AP | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V | 搜索库存 |
替代型号FDN352AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN352AP 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SuperSOT P-Channel -30V -1.3A 180mohms 150pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V | 当前型号 |
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