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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.04A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.9Ω/Ohm 260mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1A Description & Applications| SIPMOSSmall-Signal-Transistor N-Channel Enhancement mode, Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant 描述与应用| SIPMOS小信号 N沟道 增强模式，逻辑电平 dv / dt的额定 无铅引脚电镀，符合RoHS标准
