BSS84LT1

小信号P沟道SOT23封装场效应管

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.9--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| • Energy Efficient • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •节能 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用

得捷:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

贸泽:
MOSFET 50V 130mA P-Channel

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R

力源芯城:
小信号P沟道SOT23封装场效应管