BSS806NEH6327XTSA1
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon- .
- * OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the BSS806NEH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device utilizes optimos 2 technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
