BSS84PWH6327XTSA1

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

得捷:
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3

立创商城:
P沟道 60V 150mA

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84PWH6327XTSA1, 150 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

贸泽:
MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -150 mA, -60 V, 4.6 ohm, -10 V, -1.5 V

艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the BSS84PWH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with sipmos technology.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323

Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323