TP0610K-T1

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23

表面贴装型 P 通道 60 V 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

得捷:
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

TP0610K-T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 23pF @25VVds

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TP0610K-T1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TP0610K-T1

型号	制造商	描述	购买
TP0610K-T1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23	搜索库存

替代型号TP0610K-T1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： TP0610K-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23	当前型号	MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23	当前型号
型号： TP0610K-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23	完全替代	VISHAY TP0610K-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -185mA, -60V, 10Ω, -4.5V, -2V	TP0610K-T1和TP0610K-T1-GE3的区别
型号： VP0610T 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 P-Channel	完全替代	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A ID, 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN	TP0610K-T1和VP0610T的区别
型号： TP0610KL-TR1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-92 P-Channel 60V 270mA 6Ω	功能相似	MOSFET, P-Channel, -60V, -185mA, 6Ω, TO-226AA TO-92	TP0610K-T1和TP0610KL-TR1-E3的区别