TP0610K-T1、TP0610K-T1-GE3、TP0610T-G对比区别

高亮显示差异参数

型号 TP0610K-T1 TP0610K-T1-GE3 TP0610T-G

描述 MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23VISHAY TP0610K-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -185mA, -60V, 10Ω, -4.5V, -2V晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - - 3

耗散功率 350mW (Ta) 350mW (Ta) 0.36 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 23pF @25V(Vds) 23pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 360mW (Ta)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 10 Ω

极性 - - P-CH

阈值电压 - - 2.4 V

连续漏极电流(Ids) - - 0.12A

上升时间 - - 15 ns

额定功率(Max) - - 360 mW

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free