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TLE2081CDR

TLE2081CDR

TI(德州仪器) 主动器件

神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

description

The TLE208x series of JFET-input operational amplifiers more than double the bandwidth and triple the slew rate of the TL07x and TL08x families of BiFET operational amplifiers. The TLE208x also have wider supply-voltage rails, increasing the dynamic-signal range for BiFET circuits to ±19 V. On-chip zener trimming of offset voltage yields precision grades for greater accuracy in dc-coupled applications. The TLE208x are pin-compatible with lower performance BiFET operational amplifiers for ease in improving performance in existing designs.

BiFET operational amplifiers offer the inherently higher input impedance of the JFET-input transistors, without sacrificing the output drive associated with bipolar amplifiers. This makes these amplifiers better suited for interfacing with high-impedance sensors or very low level ac signals. They also feature inherently better ac response than bipolar or CMOS devices having comparable power consumption.

Direct Upgrades to TL05x, TL07x, and  TL08x BiFET Operational Amplifiers

Greater Than 2× Bandwidth 10 MHz and 3× Slew Rate 45 V/µs Than TL08x

On-Chip Offset Voltage Trimming for Improved DC Performance

Wider Supply Rails Increase Dynamic Signal Range to ±19 V

TLE2081CDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 1.7 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 3.20 µV/K

带宽 9.40 MHz

转换速率 40.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz

输入补偿电压 490 µV

输入偏置电流 20 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 10 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

电源电压Max 38 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLE2081CDR引脚图与封装图
TLE2081CDR引脚图

TLE2081CDR引脚图

TLE2081CDR封装图

TLE2081CDR封装图

TLE2081CDR封装焊盘图

TLE2081CDR封装焊盘图

在线购买TLE2081CDR
型号 制造商 描述 购买
TLE2081CDR TI 德州仪器 神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLE2081CDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLE2081CDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

当前型号

神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TLE2081CD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

类似代替

Texas Instruments

TLE2081CDR和TLE2081CD的区别

型号: TLE2081ACD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

类似代替

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

TLE2081CDR和TLE2081ACD的区别

型号: TLE2081ID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 10MHz 1Channel 8Pin

类似代替

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

TLE2081CDR和TLE2081ID的区别