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TLE2081CD、TLE2081CDR、OP42GSZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2081CD TLE2081CDR OP42GSZ

描述 Texas Instruments神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSANALOG DEVICES  OP42GSZ  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 50 V/µs, ± 8V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

供电电流 1.7 mA 1.7 mA 5.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 0.725 W -

共模抑制比 70 dB 70 dB 80 dB

输入补偿漂移 3.20 µV/K 3.20 µV/K -

带宽 9.4 MHz 9.40 MHz 10 MHz

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 50.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz 9.4 MHz 10 MHz

输入补偿电压 490 µV 490 µV 1.5 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 130 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 80 dB

电源电压(Max) - 38 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

电源电压(DC) 19.0V (max) - -

针脚数 8 - 8

输入电容 - - 6.00 pF

输入阻抗 - - 1.00 TΩ

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

军工级 - - Yes