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TLE2081CDR、TLE2081ID、TLE2081CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2081CDR TLE2081ID TLE2081CD

描述 神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas InstrumentsTexas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA

供电电流 1.7 mA 1.7 mA 1.7 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 3.20 µV/K 3.20 µV/K 3.20 µV/K

带宽 9.40 MHz 9.40 MHz 9.4 MHz

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz 9.4 MHz 9.4 MHz

输入补偿电压 490 µV 490 µV 490 µV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 10 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) 38 V 38 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

电源电压(DC) - - 19.0V (max)

针脚数 - - 8

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15