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TLE2081ACD、TLE2081CDR、TLE2081AID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2081ACD TLE2081CDR TLE2081AID

描述 JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1.7 mA 1.7 mA 1.7 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 3.20 µV/K 3.20 µV/K 3.20 µV/K

带宽 9.40 MHz 9.40 MHz 9.40 MHz

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz 9.4 MHz 10 MHz

输入补偿电压 470 µV 490 µV 470 µV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA

增益带宽 10 MHz 10 MHz 9.4 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - - 4.5V ~ 38V

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压(Max) - 38 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm 1.5 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free