MMDF3N04HDR2、MMDF3N04HDR2G、MMDF3N04HD对比区别

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型号 MMDF3N04HDR2 MMDF3N04HDR2G MMDF3N04HD

描述 功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定电压(DC) 40.0 V 30.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

漏源极电阻 80.0 mΩ 80.0 mΩ -

极性 N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 2 W 2.00 W -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.00 A -

输入电容(Ciss) 900pF @32V(Vds) 900pF @32V(Vds) -

额定功率(Max) 1.39 W 1.39 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -