MMDF3N04HD、MMDF3N04HDR2G、MMDF3N04HDR2对比区别

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型号 MMDF3N04HD MMDF3N04HDR2G MMDF3N04HDR2

描述 功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 40.0 V

额定电流 - 3.00 A 3.00 A

漏源极电阻 - 80.0 mΩ 80.0 mΩ

极性 - Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.00 W 2 W

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40.0 V 40.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 3.00 A 3.40 A

输入电容(Ciss) - 900pF @32V(Vds) 900pF @32V(Vds)

额定功率(Max) - 1.39 W 1.39 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 - SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99