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MUN5115DW1T1G

MUN5115DW1T1G

数据手册.pdf

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 187mW; SOT363; 10kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363


MUN5115DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88-6

外形尺寸

宽度 1.25 mm

封装 SC-88-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5115DW1T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN5115DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN5115DW1T1G ON Semiconductor 安森美 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors 搜索库存
替代型号MUN5115DW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MUN5115DW1T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW

当前型号

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

当前型号

型号： MUN5116DW1T1G

品牌： 安森美

封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW

类似代替

ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

MUN5115DW1T1G和MUN5116DW1T1G的区别

型号： MUN5116DW1T1

品牌： 安森美

封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5115DW1T1G和MUN5116DW1T1的区别

型号： MUN5115DW1T1

品牌： 安森美

封装：

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5115DW1T1G和MUN5115DW1T1的区别