MUN5115DW1T1G、MUN5116DW1T1G、MUN5115T1对比区别

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型号 MUN5115DW1T1G MUN5116DW1T1G MUN5115T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。MUN5115T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 250 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6E 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-70-3

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 202 mW

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

耗散功率 0.385 W 0.385 W -

最大电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

封装 SC-88-6 SC-70-6 SC-70-3

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

长度 - 2 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -