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MUN5115DW1T1、MUN5115DW1T1G、MUN5116DW1T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5115DW1T1 MUN5115DW1T1G MUN5116DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 SC-88-6 SC-70-6

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.385 W 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 385 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V -

长度 - - 2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.25 mm

高度 - - 0.9 mm

封装 SOT-363 SC-88-6 SC-70-6

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99