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MUN5115DW1T1G、MUN5116DW1T1、MUN5115T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5115DW1T1G MUN5116DW1T1 MUN5115T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsMUN5115T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 250 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6E 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SC-88-6 SOT-363 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.385 W 385 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V - -

高度 - 0.9 mm -

封装 SC-88-6 SOT-363 SC-70-3

宽度 1.25 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -