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MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF1N03LT1G, 2.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
MGSF1N03LT1G


贸泽:
MOSFET 30V 2.1A N-Channel


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.1A, SOT-23


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the MGSF1N03LT1G power MOSFET, developed by ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 730 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Single N-Ch; VDSS 30VDC; RDSON 0.08Ohm; ID 1.6A; SOT-23 TO-236


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V


力源芯城:
2.1A,30V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23


MGSF1N03LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 750 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 730 mW

阈值电压 1.7 V

输入电容 140pF @5V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.10 A, 1.60 mA

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 140pF @5VVds

额定功率Max 420 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 420mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MGSF1N03LT1G引脚图与封装图
MGSF1N03LT1G引脚图

MGSF1N03LT1G引脚图

MGSF1N03LT1G封装焊盘图

MGSF1N03LT1G封装焊盘图

在线购买MGSF1N03LT1G
型号 制造商 描述 购买
MGSF1N03LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号MGSF1N03LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MGSF1N03LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.1A 125mohms 140pF

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号: NDS355AN

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3

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MGSF1N03LT1G和NDS355AN的区别

型号: MGSF1N03LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 750mA 125mohms

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功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

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型号: MVGSF1N03LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 2.8A

类似代替

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

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