MGSF1N03LT1、MGSF1N03LT1G、MGSF1N03LT3对比区别

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型号 MGSF1N03LT1 MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT3

描述 功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 750 mA 750 mA 1.60 A

漏源极电阻 125 mΩ 0.1 Ω 125 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 730 mW 730 mW 420mW (Ta)

输入电容 - 140pF @5V 140 pF

栅电荷 - - 6.00 µC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 750 mA 2.10 A, 1.60 mA 2.10 A

输入电容(Ciss) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds)

耗散功率(Max) 420mW (Ta) 420mW (Ta) 420mW (Ta)

上升时间 1 ns 1 ns -

下降时间 1 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1.7 V -

额定功率(Max) - 420 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -