MGSF1N03LT1G、NDS355AN、MVGSF1N03LT1G对比区别

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型号 MGSF1N03LT1G NDS355AN MVGSF1N03LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 VN沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.1 Ω 0.065 Ω 0.08 Ω

耗散功率 730 mW 500 mW 690 mW

阈值电压 1.7 V 1.6 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 1 ns 32 ns 1 ns

输入电容(Ciss) 140pF @5V(Vds) 195pF @15V(Vds) 140pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 420 mW 460 mW -

下降时间 8 ns 5 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 420mW (Ta) 500 mW 690 mW

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 750 mA - -

通道数 1 - -

极性 N-Channel - N-Channel

输入电容 140pF @5V - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.10 A, 1.60 mA - 2.8A

长度 3.04 mm 2.92 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1.01 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - -