MGSF1N03LT1G、MVGSF1N03LT1G、IRLML2030TRPBF对比区别

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型号 MGSF1N03LT1G MVGSF1N03LT1G IRLML2030TRPBF

描述 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON  IRLML2030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.1 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 730 mW 690 mW 1.3 W

阈值电压 1.7 V 1.7 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.10 A, 1.60 mA 2.8A 2.7A

上升时间 1 ns 1 ns 3.3 ns

输入电容(Ciss) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds) 110pF @15V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 420mW (Ta) 690 mW 1.3W (Ta)

额定功率 - - 1.3 W

输入电容 140pF @5V - 110 pF

额定功率(Max) 420 mW - 1.3 W

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 750 mA - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1.01 mm 1.01 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -