MJD350G、MJD350T4G、MJD350T4对比区别

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型号 MJD350G MJD350T4G MJD350T4

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFESTMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -300 V -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 4 4 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.56 W 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 240

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) 240 30 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15000 mW

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

热阻 8.33℃/W (RθJC) - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99