MJD350、MJD350T4G、MJD350T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 MJD350 MJD350T4G MJD350T4

描述 高电压功率晶体管 High Voltage Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFESTMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -300 V -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.56 W 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 240 - 240

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15000 mW

针脚数 - 4 3

额定功率(Max) - 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) - 30 30

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 1.5 mm 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99