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MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ309LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


欧时:
N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


e络盟:
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET


艾睿:
The unique design of this MMBFJ309LT1G JFET from ON Semiconductor gives it the versatility to be used as an electrical switch, amplifier, or voltage-controlled resistor in your electronic circuit design. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
Transistor; JFET - VHF/UHF Amplifier; 25 VDC; 10 mADC; SOT-23 TO-236; Pb-Free


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
N−Channel 25 V 10 mA Surface Mount VHF/UHF Amplifier Transistor JFET - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 10mA


Verical:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
JFET Transistor, JUNCTION FIELD EFFECT, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23


Win Source:
JFET N-CH 25V 30MA SOT23


DeviceMart:
JFET SS N-CHAN 25V SOT23


MMBFJ309LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 30 mA

额定功率 225 mW

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 5 pf

漏源极电压Vds 25 V

栅源击穿电压 25.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Industrial, Power Management, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ309LT1G引脚图与封装图
MMBFJ309LT1G引脚图

MMBFJ309LT1G引脚图

MMBFJ309LT1G封装焊盘图

MMBFJ309LT1G封装焊盘图

在线购买MMBFJ309LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ309LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ309LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号MMBFJ309LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBFJ309LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel -25V 225mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ309LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: MMBFJ309LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

类似代替

JFET - VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

MMBFJ309LT1G和MMBFJ309LT1的区别

型号: PMBFJ108,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

功能相似

NXP  PMBFJ108,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 80 mA, -3 V, SOT-23

MMBFJ309LT1G和PMBFJ108,215的区别

型号: PMBFJ110,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

功能相似

NXP  PMBFJ110,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23

MMBFJ309LT1G和PMBFJ110,215的区别