MMBFJ309LT1、MMBFJ309LT1G对比区别
描述 JFET - VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-ChannelON SEMICONDUCTOR MMBFJ309LT1G 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 25.0 V -25.0 V
额定电流 10.0 mA 30 mA
额定功率 - 225 mW
无卤素状态 - Halogen Free
击穿电压 - -25.0 V
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW
输入电容 - 5 pf
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V
栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 mA 10.0 mA
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 225 mW
额定电压 25 V 25 V
长度 - 3.04 mm
宽度 - 1.4 mm
高度 - 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99