MMBFJ309LT1G、PMBFJ110,215、MMBFJ310.*对比区别

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型号 MMBFJ309LT1G PMBFJ110,215 MMBFJ310.*

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ309LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFETNXP  PMBFJ110,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 10 mA, -500 mV, SOT-23FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ310.*  场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

击穿电压 -25.0 V -25.0 V -25.0 V

漏源极电阻 - 18 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 250 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

击穿电压 - 25 V -

输入电容(Ciss) - 30pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 225 mW 250 mW -

额定电压(DC) -25.0 V - 25.0 V

额定电流 30 mA - 10.0 mA

栅源击穿电压 25.0 V - 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 mA - 60.0 mA

额定功率 225 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输入电容 5 pf - -

额定电压 25 V - -

长度 3.04 mm 3 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.01 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -