制造商型号： | SQJ570EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SQJ570EP-T1_GE3
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SQJ570EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ570EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15 A, 9.5 A
漏源电阻 45 mOhms, 146 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 9 nC, 12 nC
耗散功率 27 W, 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 15 S, 7 S
上升时间 4 ns, 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥16.560412 总价：￥16.56 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.560412 | 16.56 |
| 10 | 14.767508 | 147.68 |
| 100 | 11.518381 | 1151.84 |
| 500 | 9.51553 | 4757.77 |
| 1000 | 7.512269 | 7512.27 |
