制造商型号： | NVMFD5C478NLT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFD5C478NLT1G
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NVMFD5C478NLT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFD5C478NLT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
NVMFD5C478NLT1G 同类别型号
库存： 1440
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.367541 | 11.37 |
| 10 | 10.033091 | 100.33 |
| 25 | 9.425174 | 235.63 |
| 100 | 6.839059 | 683.91 |
| 250 | 6.59614 | 1649.04 |
| 500 | 5.714413 | 2857.21 |
