制造商型号： | QS8K21TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS8K21TR
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QS8K21TR 中文资料
数据手册PDF
QS8K21TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 9 ns
规格参数
开发套件 -
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8K21
单位重量 10 mg
库存： 3820
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.863364 | 10.86 |
| 10 | 9.742357 | 97.42 |
| 100 | 7.591643 | 759.16 |
| 500 | 6.271166 | 3135.58 |
| 1000 | 4.95092 | 4950.92 |
