制造商型号: | SQJB70EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJB70EP-T1_GE3
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SQJB70EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJB70EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11.3 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJB70EP-T1_GE3 同类别型号
库存: 1903
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.62618 | 10.63 |
10 | 9.29173 | 92.92 |
25 | 8.733238 | 218.33 |
100 | 6.33864 | 633.86 |
250 | 6.113267 | 1528.32 |
500 | 5.296285 | 2648.14 |
1000 | 4.507477 | 4507.48 |