制造商型号: | DMT3009LDT-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT3009LDT-7
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DMT3009LDT-7 中文资料
数据手册PDF
DMT3009LDT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
库存: 2204
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.747796 | 10.75 |
10 | 9.580562 | 95.81 |
100 | 7.469142 | 746.91 |
500 | 6.169698 | 3084.85 |
1000 | 4.870832 | 4870.83 |
品牌其他型号
DMT3009LDT-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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