DMT3009LDT-7

Diodes(美台) 分立器件

DMT3009LDT-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 30A 1.2W 表面贴装型 V-DFN3030-8（K 类）

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

立创商城:
2个N沟道半桥 30V 30A

贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R

DMT3009LDT-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 1.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN3030-8

外形尺寸

封装 VDFN3030-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT3009LDT-7引脚图与封装图

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