制造商型号： | NVMD3P03R2G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NVMD3P03R2G
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NVMD3P03R2G 中文资料
数据手册PDF
NVMD3P03R2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.05 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
