制造商型号： | EFC8811R-TF |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 6CSP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) EFC8811R-TF
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EFC8811R-TF 中文资料
数据手册PDF
EFC8811R-TF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 6.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 100 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17.7 us
上升时间 570 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 us
典型接通延迟时间 80 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 60 mg
库存： 10000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | 5.549059 | 27745.29 |
| 10000 | 5.293058 | 52930.58 |
| 25000 | 5.122295 | 128057.38 |
品牌其他型号
EFC8811R-TF品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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