制造商型号: | SQ3985EV-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQ3985EV-T1_GE3
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SQ3985EV-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ3985EV-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3985EV-T1_BE3
单位重量 20 mg
SQ3985EV-T1_GE3 同类别型号
库存: 2119
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.016134 | 2.02 |
10 | 1.958531 | 19.59 |