制造商型号: | SI9933CDY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI9933CDY-T1-E3
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SI9933CDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI9933CDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 26 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9933CDY-E3
单位重量 750 mg
库存: 2017
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.715447 | 3.72 |
10 | 2.83699 | 28.37 |
30 | 2.678579 | 80.36 |
100 | 2.520168 | 252.02 |
500 | 2.448163 | 1224.08 |
品牌其他型号
SI9933CDY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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