制造商型号： | CSD25201W15 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD25201W15
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CSD25201W15 中文资料
数据手册PDF
CSD25201W15 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
品牌其他型号
CSD25201W15品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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