制造商型号: | CSD25201W15 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多CSD25201W15价格库存等采购信息! |
TI(德州仪器) CSD25201W15
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
CSD25201W15 中文资料
数据手册PDF
CSD25201W15 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
CSD25201W15 引脚图与封装图
CSD25201W15引脚图
CSD25201W15封装图
CSD25201W15封装焊盘图
品牌其他型号
CSD25201W15品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购CSD25201W15、查询CSD25201W15代理商; CSD25201W15价格批发咨询客服;这里拥有
CSD25201W15中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
CSD25201W15替代型号
、
CSD25201W15数据手册PDF。