制造商型号: | APTM10DDAM09T3G |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APTM10DDAM09T3G
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APTM10DDAM09T3G 中文资料
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APTM10DDAM09T3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM10DDAM09T3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
139A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
10mOhm @ 69.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9875pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
品牌其他型号
APTM10DDAM09T3G品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 射频晶体管
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