制造商型号： | DMN10H120SE-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN10H120SE-13
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DMN10H120SE-13 中文资料
数据手册PDF
DMN10H120SE-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.396333 总价：￥7.40 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.396333 | 7.40 |
| 10 | 6.356224 | 63.56 |
| 100 | 4.749833 | 474.98 |
| 500 | 3.732144 | 1866.07 |
| 1000 | 2.883877 | 2883.88 |
品牌其他型号
DMN10H120SE-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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