制造商型号: | APT18M80B |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT18M80B
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APT18M80B 中文资料
数据手册PDF
APT18M80B 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT18M80B
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
包装
Tube
系列
POWER MOS 8™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
530mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
120nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3760pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 [B]
封装/外壳
TO-247-3
库存: 24
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 86.595133 | 86.60 |
10 | 78.21363 | 782.14 |
25 | 74.572722 | 1864.32 |
100 | 61.840868 | 6184.09 |
250 | 58.203462 | 14550.87 |
500 | 54.565848 | 27282.92 |
1000 | 49.109222 | 49109.22 |
2500 | 47.290313 | 118225.78 |
5000 | 44.743943 | 223719.71 |
品牌其他型号
APT18M80B品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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