制造商型号： | RGCL60TS60DGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGCL60TS60DGC11
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RGCL60TS60DGC11 中文资料
数据手册PDF
RGCL60TS60DGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 111 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TS60D
RGCL60TS60DGC11 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 27.300208 | 27.30 |
| 10 | 24.525156 | 245.25 |
| 100 | 20.093516 | 2009.35 |
| 500 | 17.10524 | 8552.62 |
| 1000 | 14.581688 | 14581.69 |
品牌其他型号
RGCL60TS60DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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