RGCL60TS60DGC11

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 48 A, 1.4 V, 111 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 600V 48A 111W Through Hole TO-247N

得捷:
IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N

e络盟:
单晶体管, IGBT, 48 A, 1.4 V, 111 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚

安富利:
ROHRGCL60TS60DGC11

RGCL60TS60DGC11中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 111 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 58 ns

额定功率Max 111 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RGCL60TS60DGC11引脚图与封装图

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RGCL60TS60DGC11	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	单晶体管, IGBT, 48 A, 1.4 V, 111 W, 600 V, TO-247N, 3 引脚	搜索库存