制造商型号: | NTLGD3502NT2G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTLGD3502NT2G
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NTLGD3502NT2G 中文资料
数据手册PDF
NTLGD3502NT2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1.74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17.5 ns
上升时间 17.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.87 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 21.100 mg
库存: 1000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.402093 | 7.40 |
25 | 6.638843 | 165.97 |
50 | 6.206814 | 310.34 |
100 | 5.918795 | 591.88 |
250 | 5.659577 | 1414.89 |
500 | 5.414761 | 2707.38 |
1000 | 5.126742 | 5126.74 |