制造商型号： | RGT16NS65DGC9 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGT16NS65DGC9
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RGT16NS65DGC9 中文资料
数据手册PDF
RGT16NS65DGC9 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 16 A
耗散功率 94 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16NS65D(TO-262)
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.166881 | 19.17 |
| 50 | 15.402679 | 770.13 |
| 100 | 12.673199 | 1267.32 |
| 500 | 10.723222 | 5361.61 |
| 1000 | 9.098504 | 9098.50 |
