制造商型号: | SIF912EDZ-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIF912EDZ-T1-E3
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SIF912EDZ-T1-E3 中文资料
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SIF912EDZ-T1-E3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIF912EDZ-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® 2x5
供应商器件封装
PowerPAK® (2x5)